Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TT8M1TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TT8M1TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
Αποθέμα:
6717 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526624
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TT8M1TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
260pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSST
Βασικός αριθμός προϊόντος
TT8M1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
TT8M1TRDKR
TT8M1TRDKR-ND
TT8M1CT
TT8M1TRTR-ND
TT8M1TRCT
TT8M1TRTR
TT8M1TRCT-ND
TT8M1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
