Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TT8J2TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TT8J2TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSST
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
Αποθέμα:
10549 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525501
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TT8J2TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
84mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.8nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
460pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.25W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSST
Βασικός αριθμός προϊόντος
TT8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
TT8J2DKR
TT8J2CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
QS8K13TCR
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
SH8M4TB1
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
SP8K22FU6TB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP