Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SH8M4TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SH8M4TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Αποθέμα:
13525516
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SH8M4TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A, 7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1190pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8M4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SH8M4TB1CT
SH8M4TB1DKRINACTIVE
SH8M4TB1DKR
SP8M4TB
SP8M4TBTR-ND
SP8M4TBCT-ND
SP8M4TBCT
SP8M4TBDKR
SH8M4TB1CTINACTIVE
SP8M4TBDKR-ND
SH8M4TB1TRINACTIVE
SP8M4TBTR
SH8M4TB1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8858CZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18185
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8858CZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SH8MA4TB1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
19273
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SH8MA4TB1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.42
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SP8K22FU6TB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
SP8M24FRATB
MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
SH8K15TB1
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP