SP8M9FU6TB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SP8M9FU6TB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SP8M9FU6TB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 9A, 5A 2W Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

13524475
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SP8M9FU6TB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A, 5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1190pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SP8M9

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SP8J1FU6TB

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

rohm-semi

SP8J5FU6TB

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP

rohm-semi

SH8KA7GZETB

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP

rohm-semi

HP8M51TB1

MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP