Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HP8M51TB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HP8M51TB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
2458 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524535
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HP8M51TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
HP8M51
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HP8M51TB1CT
HP8M51TB1DKR
HP8M51TB1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
