SH8MA4TB1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SH8MA4TB1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SH8MA4TB1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 9A (Ta), 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

19273 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526594
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SH8MA4TB1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15.5nC @ 10V, 19.6nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
640pF @ 15V, 890pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8MA4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SH8MA4TB1TR
SH8MA4TB1DKR
SH8MA4TB1CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SP8K3TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP

rohm-semi

SP8M70TB1

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

rohm-semi

TT8M1TR

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST

rohm-semi

UT6K3TCR

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8