SH8K26GZ0TB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SH8K26GZ0TB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SH8K26GZ0TB-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 40V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

2383 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527141
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SH8K26GZ0TB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
38mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.9nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
280pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SH8K26

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SH8K26GZ0TBCT
SH8K26GZ0TBTR
SH8K26GZ0TBDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SH8J62TB1

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP

rohm-semi

UT6K30TCR

MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8

rohm-semi

SH8K4TB1

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

rohm-semi

VT6K1T2CR

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6