Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VT6K1T2CR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VT6K1T2CR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Αποθέμα:
6694 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527190
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VT6K1T2CR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7.1pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
120mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
VMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
VT6K1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
VT6K1T2CRDKR
VT6K1T2CRCT
VT6K1T2CRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUM001L02T2CL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
784778
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUM001L02T2CL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EM6K7T2CR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2941
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EM6K7T2CR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8M24GZETB
MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
SH8K32GZETB
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
SP8K4FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
