Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT3160KLHRC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT3160KLHRC11-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
669 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526232
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT3160KLHRC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
398 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
103W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3160
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ5C030TPTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
RSD046P05TL
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
RK7002BT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
