Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RSD046P05TL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RSD046P05TL-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 45 V 4.5A (Tc) 850mW (Ta), 15W (Tc) Surface Mount CPT3
Αποθέμα:
13526236
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
348l
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RSD046P05TL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
45 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
850mW (Ta), 15W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
CPT3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RSD046
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RSD046P05TLDKR
RSD046P05TLTR
RSD046P05TLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR9010PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12065
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR9010PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RD3H045SPTL1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1844
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RD3H045SPTL1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RK7002BT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
RRL025P03TR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
RRS075P03TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
