SCT3120ALGC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3120ALGC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3120ALGC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

6940 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526426
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3120ALGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
21A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 3.33mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
460 pF @ 500 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
103W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
Q12567120

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RTM002P02T2L

MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3

rohm-semi

RW1C025ZPT2CR

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT

rohm-semi

RSJ250P10FRATL

MOSFET P-CH 100V 25A LPTS

rohm-semi

RQ6E035TNTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6