Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RTM002P02T2L
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RTM002P02T2L-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Αποθέμα:
21852 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526431
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RTM002P02T2L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
VMT3
Συσκευασία / Θήκη
SOT-723
Βασικός αριθμός προϊόντος
RTM002
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
RTM002P02T2LDKR
RTM002P02T2LCT
RTM002P02T2LTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTK3139PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
86189
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTK3139PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTE4151PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
26703
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTE4151PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
RQ6E035TNTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
