SCT3030KLHRC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3030KLHRC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3030KLHRC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 72A (Tc) 339W Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

583 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524988
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3030KLHRC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
72A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 13.3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
131 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2222 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
339W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

TT8U2TR

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

rohm-semi

RTQ035P02TR

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

rohm-semi

RSH110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

rohm-semi

RQ6A050ZPTR

MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6