TT8U2TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TT8U2TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TT8U2TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST

Αποθέμα:

13524991
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TT8U2TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.25W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSST
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
TT8U2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
TT8U2TRDKR
TT8U2TRTR-ND
TT8U2DKR
TT8U2TRCT-ND
TT8U2TRTR
TT8U2CT
TT8U2TRDKR-ND
TT8U2TRCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RTQ035P02TR

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

rohm-semi

RSH110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

rohm-semi

RQ6A050ZPTR

MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6

rohm-semi

RQ1E070RPTR

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8