RZF013P01TL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RZF013P01TL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RZF013P01TL-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3

Αποθέμα:

4924 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524345
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RZF013P01TL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
290 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT3
Συσκευασία / Θήκη
3-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
RZF013

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RS1E280BNTB

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

rohm-semi

RQ5E035BNTCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RP1E090RPTR

MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

rohm-semi

RU1C002ZPTCL

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F