Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RZF013P01TL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RZF013P01TL-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Αποθέμα:
4924 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524345
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
Vx5B
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RZF013P01TL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
290 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT3
Συσκευασία / Θήκη
3-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
RZF013
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RS1E280BNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
RQ5E035BNTCL
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
RP1E090RPTR
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
