RU1C002ZPTCL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RU1C002ZPTCL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RU1C002ZPTCL-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F

Αποθέμα:

124469 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524361
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RU1C002ZPTCL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
115 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UMT3F
Συσκευασία / Θήκη
SC-85
Βασικός αριθμός προϊόντος
RU1C002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RU1C002ZPTCLCT
RU1C002ZPTCLTR
RU1C002ZPTCLDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R5009FNX

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

rohm-semi

RT1A060APTR

MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST

rohm-semi

RTL020P02FRATR

MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6

rohm-semi

RSE002N06TL

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3