Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RU1J002YNTCL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RU1J002YNTCL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Αποθέμα:
878143 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526663
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RU1J002YNTCL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0.9V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
800mV @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
26 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UMT3F
Συσκευασία / Θήκη
SC-85
Βασικός αριθμός προϊόντος
RU1J002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RU1J002YNTCLTR
RU1J002YNTCLCT
RU1J002YNTCLDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6035KNZC8
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
RSD150N06TL
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
RQ5E040RPTL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
