Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6035KNZC8
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6035KNZC8-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 102W (Tc) Through Hole TO-3PF
Αποθέμα:
13526668
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6035KNZC8 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
102W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6035
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Έγγραφα αξιοπιστίας
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
R6035KNZC8CTINACTIVE
R6035KNZC8DKR-ND
R6035KNZC8CT
R6035KNZC8DKR
R6035KNZC8TR
R6035KNZC8TR-ND
R6035KNZC8CT-ND
R6035KNZC8DKRINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6035KNZC17
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
282
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6035KNZC17-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.73
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSD150N06TL
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
RQ5E040RPTL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
R6020JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
