NTK3139PT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTK3139PT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTK3139PT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-723

Αποθέμα:

86189 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858185
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTK3139PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
660mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
480mOhm @ 780mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
170 pF @ 16 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
310mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-723
Συσκευασία / Θήκη
SOT-723
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTK3139

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
ONSONSNTK3139PT1G
NTK3139PT1GOSTR
NTK3139PT1GOSCT
2156-NTK3139PT1G-OS
NTK3139PT1GOSDKR
NTK3139PT1G-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

SCH1439-TL-H

MOSFET N-CH 30V 3.5A 6SCH

onsemi

NVMFS5A140PLZT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

onsemi

NVMFS5C466NT1G

MOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN

renesas-electronics-america

2SK1835-E

MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P