GNP1070TC-ZE2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

GNP1070TC-ZE2

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

GNP1070TC-ZE2-DG

Περιγραφή:

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DFN8080K

Αποθέμα:

4176 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13000713
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

GNP1070TC-ZE2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 5.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 18mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.2 nC @ 6 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
200 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN8080K
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
GNP1070

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,500
Άλλα ονόματα
846-GNP1070TC-ZE2TR
846-GNP1070TC-ZE2DKR
846-GNP1070TC-ZE2CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

GNP1150TCA-ZE2

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO

diodes

DMN2310U-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMTH8008LFG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

stmicroelectronics

STP80N600K6

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,