RS6L090BGTB1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS6L090BGTB1-DG

Περιγραφή:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

2206 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12990010
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS6L090BGTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1950 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 73W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
RS6L090BGTB1
Φύλλα δεδομένων
RS6L090BG
HTML Δελτίο δεδομένων
RS6L090BGTB1-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RS6L090BGTB1CT
846-RS6L090BGTB1DKR
846-RS6L090BGTB1TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506