Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RD3L03BBGTL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RD3L03BBGTL1-DG
Περιγραφή:
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2113 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12990018
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RD3L03BBGTL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
970 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3L03
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RD3L03BBGTL1CT
846-RD3L03BBGTL1TR
846-RD3L03BBGTL1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
UJ4SC075011B7S
750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
