RS1G120MNTB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS1G120MNTB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS1G120MNTB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

18744 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526375
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS1G120MNTB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16.2mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
570 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1G

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1G120MNTBCT
RS1G120MNTBDKR
RS1G120MNTBTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RSM002N06T2L

MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3

rohm-semi

RSF014N03TL

MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3

rohm-semi

SCT3040KLHRC11

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

rohm-semi

RS1P600BETB1

MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP