Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RSM002N06T2L
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RSM002N06T2L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Αποθέμα:
34343 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526376
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RSM002N06T2L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
VMT3
Συσκευασία / Θήκη
SOT-723
Βασικός αριθμός προϊόντος
RSM002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
RSM002N06T2LTR
RSM002N06T2LCT-ND
RSM002N06T2LDKR
846-RSM002N06T2LDKR
846-RSM002N06T2LCT
RSM002N06T2LTR-ND
846-RSM002N06T2LTR
RSM002N06T2L-ND
RSM002N06T2LCT
RSM002N06T2LDKR-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSF014N03TL
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
RS1P600BETB1
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
