Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS1E240GNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS1E240GNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 72A (Tc) 3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
11691 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525471
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS1E240GNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Ta), 72A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 27W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1E240GNTBDKR
RS1E240GNTBCT
RS1E240GNTBTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
RW1A030APT2CR
MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
