RQ3E120ATTB

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RQ3E120ATTB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RQ3E120ATTB-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Αποθέμα:

21620 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

13525487

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RQ3E120ATTB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

ROHM Semiconductor

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

12A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 1mA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

62 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

3200 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-HSMT (3.2x3)

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerVDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

RQ3E120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

RQ3E120ATTB HSMT8 TB Taping Spec

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

RQ3E120ATTBTR

RQ3E120ATTBCT

RQ3E120ATTBDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

rohm-semi

RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

rohm-semi

R5016FNX

MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM

rohm-semi

RQ6A045ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

rohm-semi

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252