RD3L08BGNTL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RD3L08BGNTL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RD3L08BGNTL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

1415 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525521
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RD3L08BGNTL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3620 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
119W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3L08

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK6R7P06PL,RQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22356
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK6R7P06PL,RQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6035ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

rohm-semi

RTU002P02T106

MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3

rohm-semi

RSJ300N10TL

MOSFET N-CH 100V 30A LPTS

rohm-semi

RHU002N06T106

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3