Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RF4L055GNTCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RF4L055GNTCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Αποθέμα:
15176 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525058
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RF4L055GNTCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HUML2020L8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RF4L055
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RF4L055GNTCRCT
RF4L055GNTCRDKR
RF4L055GNTCRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6030JNZC8
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
RSH065N06TB1
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
RRH075P03TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
