R6030JNZC8
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6030JNZC8

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6030JNZC8-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-3PF

Αποθέμα:

29 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525059
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6030JNZC8 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 5.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
93W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
360

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6030JNZC17
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
300
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6030JNZC17-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RSH065N06TB1

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

rohm-semi

RRH075P03TB1

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

rohm-semi

RMW280N03TB

MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP

rohm-semi

RRL035P03FRATR

MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6