Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RUC002N05T116
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RUC002N05T116-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Αποθέμα:
611414 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524887
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RUC002N05T116 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SST3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
RUC002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Οδηγός αρίθμησης μερών
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RUC002N05T116-ND
RUC002N05T116CT
RUC002N05T116DKR
RUC002N05MGT116
RUC002N05T116TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ5E035ATTCL
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
RE1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
TT8U2TCR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
