Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RD3T050CNTL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RD3T050CNTL1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2014 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527447
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RD3T050CNTL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
760mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.25V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
29W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3T050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RD3T050CNTL1DKR
RD3T050CNTL1CT
RD3T050CNTL1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RD3P050SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
R6011KNJTL
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
RAL045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6