Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6007JNJGTL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6007JNJGTL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount LPTS
Αποθέμα:
1080 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527464
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6007JNJGTL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
475 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
96W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6007
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
R6007JNJGTLCT
R6007JNJGTLTR
R6007JNJGTLDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSD140P06TL
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
RQ5C020TPTL
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
R6015ANX
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
