Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RD3S100CNTL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RD3S100CNTL1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2256 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527389
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RD3S100CNTL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
190 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
85W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3S100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RD3S100CNTL1TR
RD3S100CNTL1DKR
RD3S100CNTL1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
RQ3E110AJTB
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
