RQ3E110AJTB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RQ3E110AJTB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RQ3E110AJTB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Αποθέμα:

13988 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527398
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RQ3E110AJTB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSMT (3.2x3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ3E110

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ3E110AJTBDKR
RQ3E110AJTBCT
RQ3E110AJTBTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RF6E065BNTCR

MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6

rohm-semi

RQ6E050AJTCR

MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6

rohm-semi

RCX160N20

MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM

rohm-semi

R6030KNXC7

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM