Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6530ENZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6530ENZ4C13-DG
Περιγραφή:
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247G
Αποθέμα:
486 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967391
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6530ENZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 960µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
305W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247G
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6530
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6530ENZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6504KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
NTD4N60T4
TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3-PIN(
RRQ045P03HZGTR
AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
