R6504KND3TL1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6504KND3TL1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6504KND3TL1-DG

Περιγραφή:

HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

2450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967405
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6504KND3TL1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 130µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
58W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6504

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-R6504KND3TL1CT
846-R6504KND3TL1DKR
846-R6504KND3TL1TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTD4N60T4

TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3-PIN(

rohm-semi

RRQ045P03HZGTR

AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL

rohm-semi

RSS065N06HZGTB

NCH 60V 6.5A POWER MOSFET. RSS06

rohm-semi

R6511KND3TL1

HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1