Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6046FNZ1C9
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6046FNZ1C9-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
278 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12823329
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6046FNZ1C9 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
46A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
98mOhm @ 23A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
120W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
R6046FNZ1C9
Φύλλα δεδομένων
R6046FNZ1
HTML Δελτίο δεδομένων
R6046FNZ1C9-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
846-R6046FNZ1C9
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31N60X,S1F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
20
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK31N60X,S1F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.57
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW48N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
590
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW48N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.88
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFL82N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
25
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFL82N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
24.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
911
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
13.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6050JNZ4C13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
545
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6050JNZ4C13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
11.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET