Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6050JNZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6050JNZ4C13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 615W (Tc) Through Hole TO-247G
Αποθέμα:
545 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850837
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6050JNZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
83mOhm @ 25A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
120 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
615W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247G
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6050JNZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
HUFA76437P3
MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3
BSP298L6327HUSA1
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4
