Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6030JNZC17
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6030JNZC17-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-3PF
Αποθέμα:
300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12810850
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6030JNZC17 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 5.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
93W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6030
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
300
Άλλα ονόματα
846-R6030JNZC17
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6015ENZC17
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
R6024KNZC17
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
R6015KNZC17
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF