Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6027YNZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6027YNZ4C13-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 27A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247G
Αποθέμα:
600 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13238541
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6027YNZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 7A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
245W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247G
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6027YNZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6049YNXC7G
NCH 600V 22A, TO-220FM, POWER MO
R6049YNX3C16
NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO
R6049YNZ4C13
NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS