Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6061YNXC7G
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6061YNXC7G-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM
Αποθέμα:
1000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13238773
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6061YNXC7G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
26A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 3.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6061YNXC7G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
