Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6027YNX3C16
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6027YNX3C16-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 27A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
1000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002590
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6027YNX3C16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 7A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
245W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R6027YNX3C16
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
G700P06J
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
TSM150NB04LCV RGG
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
