Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN1032UCP4-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN1032UCP4-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 12 V 5A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount X1-DSN1010-4 (Type B)

Αποθέμα:

RFQ Online

13002600

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN1032UCP4-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Bulk

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

12 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

5A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.2V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

3.2 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

325 pF @ 6 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

790mW (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

X1-DSN1010-4 (Type B)

Συσκευασία / Θήκη

4-XFBGA, DSBGA

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMN1032

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMN1032UCP4-7-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

31-DMN1032UCP4-7

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

taiwan-semiconductor

TSM150NB04LCV RGG

40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER

IPD028N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IAUTN06S5N008TATMA1

MOSFET_)40V 60V)

DMT12H060LCA9-7

MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15