Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6022YNX3C16
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6022YNX3C16-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
998 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002811
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6022YNX3C16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 1.8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
205W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R6022YNX3C16
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BUK4D72-30X
BUK4D72-30X
NVMJST2D6N08HTXG
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-