Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMJST2D6N08HTXG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMJST2D6N08HTXG-DG
Περιγραφή:
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK
Αποθέμα:
10 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002826
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMJST2D6N08HTXG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
28A (Ta), 131.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4405 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
5.3W (Ta), 116W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-TCPAK
Συσκευασία / Θήκη
10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NVMJST2D6N08HTXGCT
488-NVMJST2D6N08HTXGTR
488-NVMJST2D6N08HTXGDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
NVLJWS013N03CLTAG
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
DMN31D4UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
