Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6013VNXC7G
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6013VNXC7G-DG
Περιγραφή:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Αποθέμα:
1080 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001925
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6013VNXC7G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
54W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6013VN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6013VNXC7G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
