Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6018ANJTL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6018ANJTL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Αποθέμα:
13526151
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6018ANJTL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6018
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK14G65W,RQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3525
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK14G65W,RQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.93
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020ENJTL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9101
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6020ENJTL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOB20S60L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
788
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOB20S60L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R190C6ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1265
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R190C6ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RAL025P01TCR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
RCX450N20
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
