Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RAL025P01TCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RAL025P01TCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Αποθέμα:
13526160
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RAL025P01TCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2000 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
320mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
RAL025
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RAL025P01TCRTR
RAL025P01TCRDKR
RAL025P01TCRCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RCX450N20
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
RTF015P02TL
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
