Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6014YNX3C16
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6014YNX3C16-DG
Περιγραφή:
NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
1000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001132
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6014YNX3C16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
260mOhm @ 5A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
890 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
132W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6014
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6014YNX3C16
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5453E-AU_R2_002A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5544-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542V-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M