Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJQ5542V-AU_R2_002A1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJQ5542V-AU_R2_002A1-DG
Περιγραφή:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 24.8A (Ta), 136A (Tc) 3.3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DFN5060-8
Αποθέμα:
2980 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001146
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJQ5542V-AU_R2_002A1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24.8A (Ta), 136A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3050 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.3W (Ta), 100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ5542
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1CT
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1DKR
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5548-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
R6086YNZ4C13
NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
TP65H070LDG-TR
650 V 25 A GAN FET
